报告题目：InAs/GaAs 单量子点光谱与压力调谐

报告时间：12月22日(星期一)下午2:00

地点：物理楼333

主办单位: 皇冠足球比分,澳门皇冠体育物理学院

超硬材料国家重点实验室

简介：二能级单量子点具有固态体系中类原子特性，是量子光学在固态系统中的研究对象，潜在的量子光源器件及量子计算应用前景。同时，由于与半导体工艺的集成，是固态单光子源发射的最佳候选之一。可在量子密钥等通信中发挥关键器件作用,也是目前国内外单光子器件研究的重点。在量子计算方面，需要构建自旋相干叠加态，单电子自旋或单量子点二能级相干Rabi态是量子比特的基本单元，因此得到研究人员的广泛重视。报告人将介绍该领域的研究进展和近年来报告人小组在 InAs/GaAs 单量子点光谱、共振荧光光谱、单电子自旋、量子点晶格核自旋、单量子点相关压力光谱、以及MoS2层状材料的压力光谱研究工作。

孙宝权：中科院半导体所，研究员,博士生导师。1984年皇冠足球比分,澳门皇冠体育物理系毕业并获学士学位，1989年皇冠足球比分,澳门皇冠体育物理系凝聚态物理专业毕业并获理学硕士学位，1997年中科院半导体所凝聚态物理专业毕业并获理学博士学位。2001-2003年赴澳大利亚新南威尔士大学物理系合作研究。先后在法国INSA国家应用物理研究所(图卢兹)和香港科技大学物理系访问工作。从事半导体低维结构光学性质、输运性质和半导体中非经典光辐射场的实验研究。研究了横向磁场对弱耦合超晶格输运的影响，特别是磁场调制电场畴稳定性机制的研究，提出I-V特性的N-型负阻线形决定电场畴的形成机制和动态特性。近年来开展 InAs 单量子点发光光谱、压力光谱，二维层状材料能带结构及相关物理研究。发表论文80多篇，分别发表在 Advanced Materials, ACS Nano, Scientific Reports, App. Phys. Lett.，J. App. Phys，Phys. Rev. B 等刊物上，他人引用800多次。“半导体低维结构光学与输运特性”获2009年度国家自然科学二等奖(排名第二)。 主持国家重大科学研究计划项目“半导体量子结构中的自旋量子调控”课题；中科院项目“单量子态光学测量系统的研制”，以及多项国家自然基金项目。

注：以上信息来源于校内办公，若有变动请及时通知！ 电话：85166975